Nexperia Typ P Kanal, MOSFET med P-kanal och Trench, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV48XP
- RS-artikelnummer:
- 798-2801
- Tillv. art.nr:
- PMV48XP,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 30 enheter)*
168,12 kr
(exkl. moms)
210,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,604 kr | 168,12 kr |
| 60 - 120 | 5,316 kr | 159,48 kr |
| 150 - 270 | 3,36 kr | 100,80 kr |
| 300 - 570 | 2,613 kr | 78,39 kr |
| 600 + | 2,046 kr | 61,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2801
- Tillv. art.nr:
- PMV48XP,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET med P-kanal och Trench | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PMV48XP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 81mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 930mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60134 | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET med P-kanal och Trench | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PMV48XP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 81mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 930mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60134 | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET med P-kanal och Trench, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV48XP
- Nexperia 2 Typ P Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 500 mA -20 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV160UP
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV32UP
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84AK AEC-Q101