STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET H7

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

650,50 kr

(exkl. moms)

813,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 24513,01 kr
250 - 49511,62 kr
500 +9,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
792-5713P
Tillv. art.nr:
STD25N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

STripFET H7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

35mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

40W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.6mm

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.