STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

933,10 kr

(exkl. moms)

1 166,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 725 enhet(er) från den 26 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 24518,662 kr
250 - 49518,222 kr
500 +17,054 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
792-5707P
Tillv. art.nr:
STB18N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-263

Serie

MDmesh M2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21.5nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics


Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.