Nexperia N Kanal, MOSFET, 350 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002BK AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 781-6691
- Tillv. art.nr:
- 2N7002BK,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 200 enheter)*
135,40 kr
(exkl. moms)
169,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 000 enhet(er) levereras från den 19 oktober 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 22 september 2027
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 13 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,677 kr | 135,40 kr |
| 400 - 800 | 0,644 kr | 128,80 kr |
| 1000 + | 0,542 kr | 108,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 781-6691
- Tillv. art.nr:
- 2N7002BK,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002BK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 440mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie 2N7002BK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 440mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 350 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002BK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 400 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008NBK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84AK AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101