STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 791-9308P
- Tillv. art.nr:
- STD80N4F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
702,25 kr
(exkl. moms)
877,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 14,045 kr |
| 100 - 240 | 12,768 kr |
| 250 - 490 | 12,432 kr |
| 500 + | 12,118 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 791-9308P
- Tillv. art.nr:
- STD80N4F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.