STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V
- RS-artikelnummer:
- 791-7876P
- Tillv. art.nr:
- STR2N2VH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
483,30 kr
(exkl. moms)
604,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 490 | 4,833 kr |
| 500 - 990 | 3,873 kr |
| 1000 - 2990 | 3,448 kr |
| 3000 + | 3,123 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 791-7876P
- Tillv. art.nr:
- STR2N2VH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | STripFET V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie STripFET V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM V, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.