Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 787-9052
- Tillv. art.nr:
- SI4925DDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
90,72 kr
(exkl. moms)
113,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 6 545 enhet(er) från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,144 kr | 90,72 kr |
| 50 - 245 | 17,024 kr | 85,12 kr |
| 250 - 495 | 15,456 kr | 77,28 kr |
| 500 - 1245 | 14,516 kr | 72,58 kr |
| 1250 + | 13,596 kr | 67,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9052
- Tillv. art.nr:
- SI4925DDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Dubbel P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET