Sök efter MPN

STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5

RS-artikelnummer:: 783-3107
Distrelec artikelnummer:: 304-45-899
Tillv. art.nr:: STP45N65M5
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

338,15 kr

(exkl. moms)

422,70 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 14 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	67,63 kr	338,15 kr
50 - 120	64,046 kr	320,23 kr
125 +	60,732 kr	303,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 783-3107
Distrelec artikelnummer:: 304-45-899
Tillv. art.nr:: STP45N65M5
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	STMicroelectronics
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	35A
	Maximal källspänning för dränering Vds	710V
	Serie	MDmesh M5
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	78mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	25V
	Maximal effektförlust Pd	210W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	82nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.5V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	15.75mm
	Bredd	4.6mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke STMicroelectronics
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A
	Maximal källspänning för dränering Vds 710V
	Serie MDmesh M5
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 78mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V
	Maximal effektförlust Pd 210W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.5V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 15.75mm
	Bredd 4.6mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.4mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics

Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.