onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- RS-artikelnummer:
- 163-1142
- Tillv. art.nr:
- NTS4173PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
2 283,00 kr
(exkl. moms)
2 853,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,761 kr | 2 283,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 163-1142
- Tillv. art.nr:
- NTS4173PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Höjd | 900μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.1nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.35mm | ||
Höjd 900μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal effekt-MOSFET, 30 V till 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.37 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal N+P lastomkopplare, Effekt-MOSFET, 1.3 A 8 V Förbättring, 6 Ben, SC-88
- onsemi N Kanal, MOSFET, 210 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138W
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA