Sök efter MPN

onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN, μCool

RS-artikelnummer:: 780-0655
Tillv. art.nr:: NTLJD3119CTBG
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WDFN, μCool

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

82,21 kr

(exkl. moms)

102,76 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 90	8,221 kr	82,21 kr
100 - 240	7,101 kr	71,01 kr
250 - 490	6,138 kr	61,38 kr
500 - 990	5,398 kr	53,98 kr
1000 +	4,917 kr	49,17 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 780-0655
Tillv. art.nr:: NTLJD3119CTBG
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	WDFN
	Serie	μCool
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	200mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.69V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	2.3W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.7nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Höjd	0.75mm
	Längd	2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp WDFN
	Serie μCool
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.69V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 2.3W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.7nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Höjd 0.75mm
	Längd 2mm
	Standarder/godkännanden No
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Dubbel N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

NTJD1155L är en tvåkanalig MOSFET. Med både P- och N-kanal i en enda kapsel är denna MOSFET utmärkt för låg styrsignal, låga batterispänningar och höga belastningsströmmar. N-kanalen har internt ESD-skydd och kan drivas av logiska signaler så låga som 1,5 V, medan P-kanalen är utformad för att användas på lastväxlingstillämpningar. P-kanalen är också utformad med ON semis trenchteknik.

MOSFET-transistorer, ON Semiconductor

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.