onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5116PL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 184-1458
- Tillv. art.nr:
- NVTFS5116PLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
92,96 kr
(exkl. moms)
116,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 550 enhet(er) från den 05 oktober 2026
- Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,296 kr | 92,96 kr |
| 100 - 240 | 8,019 kr | 80,19 kr |
| 250 - 490 | 6,944 kr | 69,44 kr |
| 500 - 990 | 6,104 kr | 61,04 kr |
| 1000 + | 5,566 kr | 55,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 184-1458
- Tillv. art.nr:
- NVTFS5116PLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | NVTFS5116PL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 72mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 21W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.15mm | |
| Höjd | 800μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie NVTFS5116PL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 72mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 21W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.15mm | ||
Höjd 800μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Automotive Power MOSFET i ett 3x3 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion.
Litet fotavtryck (3,3 x 3,3 mm)
Lågt motstånd vid tändning
Låg kapacitet
NVTFS5116PLWF – produkt med våtbara flanker
Kompakt design
Minimera ledningsförluster
Minimera drivförluster
Förbättrad optisk inspektion
Lämplig för fordonstillämpningar
Användningsområden:
Lastswitch för fordon
Motordrivkrets
DC-DC-omkopplingsutgång
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5116PL AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5124PL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 107 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS5116PL
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 7.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench