onsemi 2 N Kanal Serie, MOSFET, 26 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 774-1180
- Tillv. art.nr:
- FDPC8013S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
56,00 kr
(exkl. moms)
70,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,00 kr | 56,00 kr |
| 20 - 198 | 24,19 kr | 48,38 kr |
| 200 - 998 | 20,89 kr | 41,78 kr |
| 1000 - 1998 | 18,425 kr | 36,85 kr |
| 2000 + | 16,745 kr | 33,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 774-1180
- Tillv. art.nr:
- FDPC8013S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Serie | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Serie | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
PowerTrench® dubbel N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFET är optimerade strömomkopplare som erbjuder ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning, liten omvänd återställning och en mjuk diod för omvänd återställning för att bidra till snabb omkoppling av synkron likriktning i AC/DC-nätaggregat.
Mjukt kroppsdiodprestanda för PowerTrench® MOSFET:er kan eliminera snubberkrets eller ersätta en MOSFET med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Serie, MOSFET, 26 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench