onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD18N06L
- RS-artikelnummer:
- 773-7875
- Tillv. art.nr:
- NTD18N06LT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
63,62 kr
(exkl. moms)
79,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,724 kr | 63,62 kr |
| 50 - 95 | 10,976 kr | 54,88 kr |
| 100 - 495 | 9,498 kr | 47,49 kr |
| 500 - 995 | 8,332 kr | 41,66 kr |
| 1000 + | 7,616 kr | 38,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 773-7875
- Tillv. art.nr:
- NTD18N06LT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | NTD18N06L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 55W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie NTD18N06L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal effektförlust Pd 55W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.38mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD18N06L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD24N06L