onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UltraFET
- RS-artikelnummer:
- 166-3193
- Tillv. art.nr:
- RFD12N06RLESM9A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
11 670,00 kr
(exkl. moms)
14 587,50 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,668 kr | 11 670,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-3193
- Tillv. art.nr:
- RFD12N06RLESM9A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | UltraFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 49W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie UltraFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 49W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerar egenskaper som möjliggör benchmark-effektivitet i applikationer för effektomvandling. Enheten kan motstå hög energi i lavinläget och dioden uppvisar mycket låg omvänd återhämtningstid och lagrad laddning. Optimerad för effektivitet vid höga frekvenser, lägsta RDS(on), lågt ESR och låg total- och Miller-grindladdning.
Tillämpningar inom högfrekventa DC/DC-omvandlare, switchade regulatorer, motorstyrningar, lågspänningsbusswitchar och strömhantering.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 48 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, MLP, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 200 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD18N06L