onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UltraFET
- RS-artikelnummer:
- 166-3193
- Tillv. art.nr:
- RFD12N06RLESM9A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 166-3193
- Tillv. art.nr:
- RFD12N06RLESM9A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | UltraFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 49W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie UltraFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 49W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable Benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 18 A 60 V Förbättring TO-252, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 3 A 250 V Förbättring SOIC, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 48 A 80 V Förbättring WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 7.5 A 100 V Förbättring SOIC, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 20 A 200 V Förbättring WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 14 A 250 V Förbättring WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 10.6 A 60 V Förbättring MLP, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 18 A 60 V Förbättring TO-252, NTD18N06L
