STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 761-2934
- Tillv. art.nr:
- STW75NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
46,82 kr
(exkl. moms)
58,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 27 juli 2026
- Dessutom levereras 329 enhet(er) från den 03 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 46,82 kr |
| 10 - 99 | 28,68 kr |
| 100 - 599 | 28,33 kr |
| 600 - 1199 | 27,99 kr |
| 1200 + | 27,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-2934
- Tillv. art.nr:
- STW75NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 34mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 34mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F3
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET