STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 761-0061
- Tillv. art.nr:
- STP20NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
108,86 kr
(exkl. moms)
136,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 85 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,772 kr | 108,86 kr |
| 50 - 245 | 19,16 kr | 95,80 kr |
| 250 - 495 | 17,112 kr | 85,56 kr |
| 500 + | 14,696 kr | 73,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0061
- Tillv. art.nr:
- STP20NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET