STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 168-7508
- Tillv. art.nr:
- STP30NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 250 till för att spara 1%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
870,15 kr
(exkl. moms)
1 087,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 17,403 kr | 870,15 kr | - |
| 250 - 450 | 17,188 kr | 859,40 kr | 1% |
| 500 + | 16,977 kr | 848,85 kr | 2% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7508
- Tillv. art.nr:
- STP30NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 62 A 33 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET