STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 761-0014
- Tillv. art.nr:
- STP14NK50Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
260,06 kr
(exkl. moms)
325,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 52,012 kr | 260,06 kr |
| 10 - 95 | 44,106 kr | 220,53 kr |
| 100 - 495 | 35,324 kr | 176,62 kr |
| 500 - 995 | 31,428 kr | 157,14 kr |
| 1000 + | 26,522 kr | 132,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0014
- Tillv. art.nr:
- STP14NK50Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 380mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 380mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 500 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH