STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh

Mängdrabatt möjlig

Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*

193,80 kr

(exkl. moms)

242,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
10 - 9919,38 kr
100 - 49915,46 kr
500 - 99914,34 kr
1000 +13,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
760-9982P
Tillv. art.nr:
STP11NM60ND
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

FDmesh

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.45Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

90W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Höjd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics