STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 760-9935
- Tillv. art.nr:
- STD7NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
94,86 kr
(exkl. moms)
118,575 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 215 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 18,972 kr | 94,86 kr |
| 10 - 95 | 16,084 kr | 80,42 kr |
| 100 - 495 | 12,50 kr | 62,50 kr |
| 500 - 995 | 10,528 kr | 52,64 kr |
| 1000 + | 8,826 kr | 44,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-9935
- Tillv. art.nr:
- STD7NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | MDmesh | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie MDmesh | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 600 V Förbättring TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 600 V Förbättring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 1 A 600 V Förbättring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-252, MDmesh II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 710 V Förbättring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 710 V Förbättring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 550 V Förbättring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.3 A 500 V Förbättring TO-252 SuperMESH
