STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh K3, SuperMESH3
- RS-artikelnummer:
- 760-9645
- Tillv. art.nr:
- STN3N45K3
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
51,18 kr
(exkl. moms)
63,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 7 330 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,118 kr | 51,18 kr |
| 100 - 490 | 3,455 kr | 34,55 kr |
| 500 - 990 | 2,728 kr | 27,28 kr |
| 1000 - 1990 | 2,477 kr | 24,77 kr |
| 2000 + | 2,308 kr | 23,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-9645
- Tillv. art.nr:
- STN3N45K3
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 600mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 450V | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 600mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 450V | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM K3-serien, SuperMESH3TM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh K3, SuperMESH3
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.6 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 140 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 0.25 A 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 450 mA 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q101
