onsemi N Kanal, MOSFET, 4.1 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9692
- Tillv. art.nr:
- FDS86242
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
25,98 kr
(exkl. moms)
32,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 12,99 kr | 25,98 kr |
| 20 - 198 | 11,145 kr | 22,29 kr |
| 200 - 998 | 9,69 kr | 19,38 kr |
| 1000 + | 8,51 kr | 17,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9692
- Tillv. art.nr:
- FDS86242
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 126mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 810mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 126mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 810mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.1 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench