onsemi N Kanal, MOSFET, 3.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9686
- Tillv. art.nr:
- FDS86106
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 15%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
96,88 kr
(exkl. moms)
121,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 435 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 5 | 19,376 kr | 96,88 kr | - |
| 10 - 95 | 16,442 kr | 82,21 kr | 15% |
| 100 - 245 | 12,342 kr | 61,71 kr | 36% |
| 250 - 495 | 11,962 kr | 59,81 kr | 38% |
| 500 + | 10,484 kr | 52,42 kr | 45% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9686
- Tillv. art.nr:
- FDS86106
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 177mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5mm | |
| Längd | 4mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 177mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5mm | ||
Längd 4mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench