Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM55P06-19L
- RS-artikelnummer:
- 710-5020
- Tillv. art.nr:
- SUM55P06-19L-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
192,86 kr
(exkl. moms)
241,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 38,572 kr | 192,86 kr |
| 50 - 120 | 33,174 kr | 165,87 kr |
| 125 - 245 | 30,89 kr | 154,45 kr |
| 250 - 495 | 28,896 kr | 144,48 kr |
| 500 + | 23,14 kr | 115,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 710-5020
- Tillv. art.nr:
- SUM55P06-19L-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SUM55P06-19L | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.75W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SUM55P06-19L | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.75W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 30 V till 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM55P06-19L
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 100 V, 3 Ben, TO-263
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 110 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 110 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM110P06-08L
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
