Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 100 V, 3 Ben, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 180-8130
- Tillv. art.nr:
- SUM90P10-19L-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
101,31 kr
(exkl. moms)
126,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 180 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 20,262 kr | 101,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8130
- Tillv. art.nr:
- SUM90P10-19L-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.019Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Längd | 0.625in | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.019Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Längd 0.625in | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET är ett P-kanal, TO-263-3-paket, är en ny produkt med en dräneringskällspänning på 100 V och maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 19 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. MOSFET har en maximal effektförlust på 375 W. Den kan användas i den primära sidan av omkopplaren. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Blyfri (Pb) komponent
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 100 V, 3 Ben, TO-263
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM55P06-19L
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 60 V, TO-220AB
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 110 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 110 A 80 V, 3 Ben, TO-263
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 110 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM110P06-08L
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V P, 3 Ben, TO-263, IPA
- Vishay N-kanal, N-kanals MOSFET, 90 A 200 V, 3 Ben, TO-263