Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4435DDY
- RS-artikelnummer:
- 710-3339
- Tillv. art.nr:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 34,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
71,34 kr
(exkl. moms)
89,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 130 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,134 kr | 71,34 kr | - |
| 100 - 490 | 6,787 kr | 67,87 kr | 34,70 kr |
| 500 - 990 | 5,701 kr | 57,01 kr | 716,50 kr |
| 1000 - 2490 | 5,376 kr | 53,76 kr | 1 758,00 kr |
| 2500 + | 4,995 kr | 49,95 kr | 5 347,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 710-3339
- Tillv. art.nr:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | Si4435DDY | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie Si4435DDY | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 30 V till 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4435DDY
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4431CDY
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 13.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4403CDY
- Vishay Typ P Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 4.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET