Vishay 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*

36,56 kr

(exkl. moms)

45,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 460 enhet(er) från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +7,312 kr36,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3327
Tillv. art.nr:
SI4214DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

19.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4mm

Längd

5mm

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.