Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), IRFU
- RS-artikelnummer:
- 708-4831
- Tillv. art.nr:
- IRFU110PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
90,41 kr
(exkl. moms)
113,01 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 20 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 940 enhet(er) från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,041 kr | 90,41 kr |
| 100 - 240 | 8,155 kr | 81,55 kr |
| 250 - 490 | 7,513 kr | 75,13 kr |
| 500 - 990 | 7,052 kr | 70,52 kr |
| 1000 + | 5,877 kr | 58,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-4831
- Tillv. art.nr:
- IRFU110PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | IPAK (TO-251) | |
| Serie | IRFU | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.54Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 100V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Bredd | 2.38mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp IPAK (TO-251) | ||
Serie IRFU | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.54Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 100V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 6.22mm | ||
Bredd 2.38mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), IRFU
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), MDmesh
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), QFET
- onsemi 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, IPAK