DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 708-2614
- Tillv. art.nr:
- ZXMN2A01E6TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
34,15 kr
(exkl. moms)
42,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,415 kr | 34,15 kr |
| 100 - 190 | 2,688 kr | 26,88 kr |
| 200 + | 2,621 kr | 26,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-2614
- Tillv. art.nr:
- ZXMN2A01E6TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12, -12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.7W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Bredd | 1.75mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12, -12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.7W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1.3mm | ||
Bredd 1.75mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 210 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN67D7L
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN3042L
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 0.31 A 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 430 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN62D0U
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3406L
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET