onsemi N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

99,00 kr

(exkl. moms)

124,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 500 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 21 oktober 2026
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 20 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4000,99 kr99,00 kr
500 - 9000,855 kr85,50 kr
1000 +0,74 kr74,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-4401
Distrelec artikelnummer:
304-45-643
Tillv. art.nr:
BSS138K
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

220mA

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Serie

BSS138K

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.4nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

350mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.92mm

Höjd

930μm

Bredd

1.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.