Sök efter MPN

onsemi N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 761-4401
Distrelec artikelnummer:: 304-45-643
Tillv. art.nr:: BSS138K
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi N Kanal, MOSFET, 220 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

99,00 kr

(exkl. moms)

124,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

200 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 3 100 enhet(er) från den 29 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
100 - 400	0,99 kr	99,00 kr
500 - 900	0,855 kr	85,50 kr
1000 +	0,74 kr	74,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 761-4401
Distrelec artikelnummer:: 304-45-643
Tillv. art.nr:: BSS138K
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	220mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	50V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	BSS138K
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	2.5Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.4nC
	Maximal effektförlust Pd	350mW
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	12V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	0.93mm
	Bredd	1.3mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	2.92mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 220mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 50V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie BSS138K
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.4nC
	Maximal effektförlust Pd 350mW
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 0.93mm
	Bredd 1.3mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 2.92mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.