Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 688-6872
- Tillv. art.nr:
- IRF540ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
41,22 kr
(exkl. moms)
51,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 364 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 48 enhet(er) från den 22 oktober 2026
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 03 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 20,61 kr | 41,22 kr |
| 20 - 98 | 19,095 kr | 38,19 kr |
| 100 - 198 | 17,25 kr | 34,50 kr |
| 200 - 498 | 16,07 kr | 32,14 kr |
| 500 + | 15,065 kr | 30,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-6872
- Tillv. art.nr:
- IRF540ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 92W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Längd | 10.54mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 92W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 8.77mm | ||
Längd 10.54mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.69mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 36 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 100 V maximal dräneringskällspänning - IRF540ZPBF
Denna MOSFET är utformad för att leverera hög prestanda i olika elektroniska tillämpningar. Kan hantera en maximal kontinuerlig dräneringsström på 36 A och en dräneringskällspänning på 100 V, dess TO-220AB-kapsel säkerställer effektiv värmeavledning och stabilitet. Med maximal effektförlust på 92 W är denna N-kanal-enhet särskilt lämplig för krävande uppgifter i elektriska och mekaniska industrier.
Funktioner & fördelar
• Använder HEXFET-teknik för ökad effektivitet
• Låg Rds(on) på 26,5 mΩ minimerar effektförlusten
• Snabba omkopplingshastigheter förbättrar driftseffektiviteten
• Stöder förbättringsläge för tillförlitlig prestanda
• Utformad för att hantera repetitiva avalanche-förhållanden
Användningsområden
• Används för motorstyrning och strömhantering
• Idealisk för switchade nätaggregat och omvandlare
• Lämplig för fordonsindustrin som kräver hög effektivitet
• Implemented i industriella automationssystem
• Effektiv i elektroniska enheter som behöver robust prestanda
Vilken betydelse har den låga Rds(on)-klassningen i dess prestanda?
Den låga Rds(on)-klassningen minskar ledningsförluster, vilket leder till högre effektivitet under drift. Det möjliggör förbättrad termisk prestanda, vilket är avgörande i tillämpningar med hög ström.
Hur påverkar den maximala dräneringskällspänningen driftsäkerheten?
100 V drain-källspänning ger en betydande säkerhetsmarginal för tillämpningar, vilket säkerställer tillförlitlig drift under varierande spänningsförhållanden och förhindrar därmed fel.
Kan denna MOSFET hantera miljöer med höga temperaturer?
Med en maximal drifttemperatur på 175 °C är den utformad för att fungera tillförlitligt i höga temperaturförhållanden, vilket gör den lämplig för utmanande miljöer som finns i fordons- och industriella tillämpningar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET