STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 20 enheter (levereras i ett rör)*

619,00 kr

(exkl. moms)

773,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 826 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
20 - 9830,95 kr
100 - 19823,575 kr
200 +20,915 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5295P
Tillv. art.nr:
STP120NF10
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

STripFET II

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

312W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

172nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Höjd

9.15mm

Bredd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.