STMicroelectronics N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

773,10 kr

(exkl. moms)

966,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 24515,462 kr
250 - 49510,906 kr
500 +8,508 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5190P
Tillv. art.nr:
STB4NK60ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

SuperMESH effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SuperMESH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

70W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Bredd

9.35mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD97

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.