STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

586,60 kr

(exkl. moms)

733,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 612 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
20 - 9829,33 kr
100 - 19828,42 kr
200 +24,63 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5093P
Tillv. art.nr:
STB100NF04T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

110nC

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Bredd

9.35mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.