onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- RS-artikelnummer:
- 671-5363
- Tillv. art.nr:
- HUF75339P3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
101,02 kr
(exkl. moms)
126,27 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 28 september 2026
- Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 05 oktober 2026
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 20,204 kr | 101,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-5363
- Tillv. art.nr:
- HUF75339P3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | UltraFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie UltraFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerar egenskaper som möjliggör benchmark-effektivitet i applikationer för effektomvandling. Enheten kan motstå hög energi i lavinläget och dioden uppvisar mycket låg omvänd återhämtningstid och lagrad laddning. Optimerad för effektivitet vid höga frekvenser, lägsta RDS(on), lågt ESR och låg total- och Miller-grindladdning.
Tillämpningar inom högfrekventa DC/DC-omvandlare, switchade regulatorer, motorstyrningar, lågspänningsbusswitchar och strömhantering.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, UltraFET