onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-5051
- Tillv. art.nr:
- FQP20N06
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 671-5051
- Tillv. art.nr:
- FQP20N06
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | QFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 53W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25, +25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Längd | 10.1mm | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie QFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 53W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25, +25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Längd 10.1mm | ||
Höjd 9.4mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
QFET® N-kanal MOSFET, 11 A till 30 A, Fairchild Semiconductor
FairFairchild Semiconductors nya QFET® planära MOSFET-enheter använder avancerad, proprietär teknik för att erbjuda bästa driftsprestanda i klassen för ett brett utbud av tillämpningar, inklusive strömförsörjningar, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, plasmadisplaypaneler (PDP), förkopplingsdon för belysning och rörelsestyrning.
De erbjuder minskad on-state-förlust genom att sänka on-resistansen (RDS(on)), och minskad switching-förlust genom att sänka grindladdningen (Qg) och utgångskapaciteten (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad meritfaktor (FOM) jämfört med konkurrerande Planar MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 13.6 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET