onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-5004
- Tillv. art.nr:
- FQP11N40C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
72,35 kr
(exkl. moms)
90,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 700 enhet(er) från den 10 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 14,47 kr | 72,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-5004
- Tillv. art.nr:
- FQP11N40C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Serie | QFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 530mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 135W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.1mm | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Serie QFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 530mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 135W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.1mm | ||
Höjd 9.4mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
QFET® N-kanal MOSFET, 6 A till 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nya QFET® planar MOSFET-transistorer använder avancerad, proprietär teknik för att erbjuda bäst prestanda i klassen för ett brett spektrum av tillämpningar, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, plasma Display Panels (PDP), belysningsförkopplingar och rörelsestyrning.
De erbjuder minskad on-state-förlust genom att sänka on-resistansen (RDS(on)), och minskad switching-förlust genom att sänka grindladdningen (Qg) och utgångskapaciteten (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad meritfaktor (FOM) jämfört med konkurrerande planära MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET