onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, UniFET
- RS-artikelnummer:
- 671-4819
- Tillv. art.nr:
- FDP33N25
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
171,47 kr
(exkl. moms)
214,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 775 enhet(er) levereras från den 22 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 34,294 kr | 171,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-4819
- Tillv. art.nr:
- FDP33N25
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Serie | UniFET | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.094Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 235W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Serie UniFET | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.094Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 235W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.4mm | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
UniFET™ N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET är Fairchild Semiconductors MOSFET-familj för högspänning. Den har det minsta on-state-motståndet bland de plana MOSFET:erna och ger också överlägsen switchprestanda och högre lavinenergistyrka. Dessutom gör den interna ESD-dioden i gate-source att UniFET-II™ MOSFET klarar över 2000 V HBM-överspänning.
UniFET™ MOSFETs är lämpliga för applikationer med switchande effektomvandlare, t.ex. effektfaktorkorrigering (PFC), TV-strömförsörjning till plattskärmar (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) och elektroniska lampballaster.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 6.2 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 16 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UniFET