onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP

RS-artikelnummer:: 178-7591
Tillv. art.nr:: NDS352AP
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

7 431,00 kr

(exkl. moms)

9 288,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 07 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,477 kr	7 431,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7591
Tillv. art.nr:: NDS352AP
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	900mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	NDS352AP
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	500mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	940μm
	Bredd	1.4mm
	Längd	2.92mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 900mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie NDS352AP
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 940μm
	Bredd 1.4mm
	Längd 2.92mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3- SuperSOT

Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.

Funktioner och fördelar:

• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler

• Cellkonstruktion med hög densitet

• Hög mättnadsström

• Överlägsen omkoppling

• Mycket robust och tillförlitlig prestanda

• DMOS-teknik

Användningsområden:

• Lastväxling

• DC/DC-omvandlare

• Batteriskydd

• Kontroll av strömhantering

• Styrning av DC-motor

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.