onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-3363
- Tillv. art.nr:
- FDS9945
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
7 085,00 kr
(exkl. moms)
8 855,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,834 kr | 7 085,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-3363
- Tillv. art.nr:
- FDS9945
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench