Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9540S
- RS-artikelnummer:
- 650-4205
- Tillv. art.nr:
- IRF9540SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
177,41 kr
(exkl. moms)
221,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 000 enhet(er) levereras från den 09 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 35,482 kr | 177,41 kr |
| 25 - 45 | 31,964 kr | 159,82 kr |
| 50 - 120 | 30,508 kr | 152,54 kr |
| 125 - 245 | 28,38 kr | 141,90 kr |
| 250 + | 26,612 kr | 133,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 650-4205
- Tillv. art.nr:
- IRF9540SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | IRF9540S | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -100V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie IRF9540S | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Framåtriktad spänning Vf -100V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V till 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9540S
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9630S
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9640S