Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 210 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 543-1156
Tillv. art.nr:: IRFP3703PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 210 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.

RS-artikelnummer:: 543-1156
Tillv. art.nr:: IRFP3703PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Antal element per chip	1
	Kanaltyp	N
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)	210 A
	Maximal källspänning för dränering (Vds)	30 V
	Kanalläge	Förbättring
	Antal ben	3
	Kapseltyp	TO-247AC
	Serie	HEXFET
	Framåtriktad spänning (Vf)	1.3 V
	Höjd	20.3 mm
	Längd	15.9 mm
	Maximal spänning för grindkälla (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximal arbetstemperatur	175 °C
	Maximal effektförlust (Pd)	3.8 W
	Minsta arbetsstemperatur	-55 °C
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Bredd	5.3 mm

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Antal element per chip 1
	Kanaltyp N
	Transistorkonfiguration Enkel
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 210 A
	Maximal källspänning för dränering (Vds) 30 V
	Kanalläge Förbättring
	Antal ben 3
	Kapseltyp TO-247AC
	Serie HEXFET
	Framåtriktad spänning (Vf) 1.3 V
	Höjd 20.3 mm
	Längd 15.9 mm
	Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximal arbetstemperatur 175 °C
	Maximal effektförlust (Pd) 3.8 W
	Minsta arbetsstemperatur -55 °C
	Typ av fäste Genomgående hål
	Bredd 5.3 mm

Infineon HEXFET Series MOSFET, 210A Maximum Continuous Drain Current, 3.8W Maximum Power Dissipation - IRFP3703PBF

This high current MOSFET is essential for applications that require efficient power management. Its HEXFET technology ensures it meets performance criteria across various industrial and electronic uses. As an N-channel device, it provides substantial current handling and effective voltage control in robust and efficient semiconductor systems.

Features & Benefits

• Handles up to 210A continuous drain current

• Low on-resistance of 2.8mΩ minimises power losses

• Optimised for high-speed operations with quick turn-on and turn-off

• Single transistor configuration simplifies circuit design

Applications

• Used in power management systems for efficient switching

• Applied in synchronous rectification to enhance energy conversion

• Integrated in industrial automation equipment for dependable operation

• Utilised in power supplies requiring high efficiency and minimal heat generation

• Suitable for automotive needing durable components

What type of applications is this device best suited for?

This device excels in power management, particularly in synchronous rectification and industrial automation, owing to its high current handling and voltage capabilities.

How does the high continuous drain current affect performance?

The ability to manage 210A continuously allows for efficient energy transfer while reducing heat generation, thereby improving overall performance and reliability.

What are the implications of the low on-resistance?

A low on-resistance of 2.8mΩ greatly diminishes power losses during operation, enhancing efficiency and aiding in thermal management under high-load conditions.

What operating temperature range can this device handle?

It functions effectively over a wide temperature span from -55°C to +175°C, making it suitable for various demanding environments.

How does the MOSFET’s configuration improve circuit design?

The single transistor configuration streamlines circuit layouts, reducing the number of required components while ensuring dependable operation in high-speed applications.