Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 210 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 543-1156
Tillv. art.nr:: IRFP3703PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 210 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig

RS-artikelnummer:: 543-1156
Tillv. art.nr:: IRFP3703PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	210A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-247AC
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	3.8W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Bredd	5.3mm
	Höjd	20.3mm
	Längd	15.9mm
	Antal element per chip	1

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 210A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-247AC
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 3.8W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Transistorkonfiguration Enkel
	Bredd 5.3mm
	Höjd 20.3mm
	Längd 15.9mm
	Antal element per chip 1

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 210 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 3,8 W maximal effektförlust - IRFP3703PBF

Denna högströms MOSFET är avgörande för tillämpningar som kräver effektiv strömhantering. Dess HEXFET-teknik säkerställer att den uppfyller prestandakriterier inom olika industriella och elektroniska användningsområden. Som en N-kanal-enhet ger den betydande strömhantering och effektiv spänningsstyrning i robusta och effektiva halvledarsystem.

Funktioner & fördelar

• Hanterar upp till 210 A kontinuerlig dräneringsström

• Låg påslagningsresistans på 2,8 mΩ minimerar effektförluster

• Optimerad för höghastighetsdrift med snabb påslagning och avstängning

• Enkel transistorkonfiguration förenklar kretsdesign

Användningsområden

• Används i strömhanteringssystem för effektiv omkoppling

• Används vid synkron likriktelse för att förbättra energiomvandlingen

• Integrerad i industriell automationsutrustning för tillförlitlig drift

• Används i nätaggregat som kräver hög effektivitet och minimal värmegenerering

• Lämplig för fordonsindustrin kräver hållbara komponenter

Vilka typer av tillämpningar är denna enhet bäst lämpad för?

Denna enhet utmärker sig inom strömhantering, särskilt inom synkron likriktering och industriell automation, på grund av dess höga strömhanterings- och spänningsförmåga.

Hur påverkar den höga kontinuerliga dräneringsströmmen prestandan?

Möjligheten att hantera 210 A kontinuerligt möjliggör effektiv energiöverföring samtidigt som värmegenerering minskas, vilket förbättrar den övergripande prestandan och tillförlitligheten.

Vilka är konsekvenserna av den låga on-resistansen?

En låg påslagningsresistans på 2,8 mΩ minskar avsevärt effektförluster under drift, förbättrar effektiviteten och underlättar värmehantering under höga belastningsförhållanden.

Vilket driftstemperaturområde kan denna enhet hantera?

Den fungerar effektivt över ett brett temperaturområde från -55 °C till +175 °C, vilket gör den lämplig för olika krävande miljöer.

Hur förbättrar MOSFET-konfigurationen kretsdesignen?

Den enkla transistorkonfigurationen effektiviserar kretslayouter, minskar antalet nödvändiga komponenter samtidigt som den säkerställer tillförlitlig drift i höghastighetstillämpningar.