Vishay N Kanal, MOSFET, 1.8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBE
- RS-artikelnummer:
- 542-9535
- Tillv. art.nr:
- IRFBE20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 enhet)*
23,52 kr
(exkl. moms)
29,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 5 kvar, redo att levereras
- Sista 761 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 23,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 542-9535
- Tillv. art.nr:
- IRFBE20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRFBE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.41mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRFBE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.41mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBE
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.6 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.7 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP80N