Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
541-1691
Tillv. art.nr:
IRFD120PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HVMDIP

Serie

IRFD

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

270mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Framåtriktad spänning Vf

2.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Höjd

3.37mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 100V till 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar