Vishay N Kanal, MOSFET, 600 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- RS-artikelnummer:
- 178-0916
- Tillv. art.nr:
- IRFD210PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 178-0916
- Tillv. art.nr:
- IRFD210PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 600mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | HVMDIP | |
| Serie | IRFD | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 3.37mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 6.29mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 600mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp HVMDIP | ||
Serie IRFD | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 3.37mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 6.29mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 600 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- Vishay N Kanal, MOSFET, 1.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- Vishay N Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- Vishay N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 700 mA 100 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRLD
- Vishay N Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRLD