STMicroelectronics Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 650 V Förbättring, 31 Ben, QFN-9, MASTERG
- RS-artikelnummer:
- 287-7043
- Tillv. art.nr:
- MASTERGAN4LTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
58,02 kr
(exkl. moms)
72,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 58,02 kr |
| 10 - 24 | 52,19 kr |
| 25 - 99 | 51,52 kr |
| 100 - 249 | 50,85 kr |
| 250 + | 50,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 287-7043
- Tillv. art.nr:
- MASTERGAN4LTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | MASTERG | |
| Kapseltyp | QFN-9 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 31 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 40mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, ECOPACK | |
| Bredd | 9mm | |
| Längd | 9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie MASTERG | ||
Kapseltyp QFN-9 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 31 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 40mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, ECOPACK | ||
Bredd 9mm | ||
Längd 9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
STMicroelectronics mikrokontroller är ett avancerat strömsystem i paket som integrerar en grinddrivare och två GaN-transistorer i förstärkningsläge i halvbryggkonfiguration. De integrerade strömgaN-erna har RDS(ON) på 225 mΩ, 650 V drain‐source-blockeringsspänning, medan den höga sidan av den inbyggda grinddrivaren enkelt kan försörjas av den integrerade bootstrapdioden.
Noll omvänd återvinningsförlust
UVLO-skydd på VCC
Inre bootstrap-diod
Låsningsfunktion
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 650 V Förbättring, 31 Ben, QFN-9, MASTERG
- STMicroelectronics Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 9.7 A 650 V Förbättring, 31 Ben, QFN-9, MASTERG
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65