Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 243 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

14 796,00 kr

(exkl. moms)

18 495,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,932 kr14 796,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0303
Tillv. art.nr:
SQJ154EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

243A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8L

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.0025mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43nC

Maximal effektförlust Pd

214W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Längd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar