Vishay N Kanal, MOSFET, 42.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- RS-artikelnummer:
- 279-9946
- Tillv. art.nr:
- SIR5112DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
118,05 kr
(exkl. moms)
147,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 29,513 kr | 118,05 kr |
| 60 - 96 | 27,495 kr | 109,98 kr |
| 100 - 236 | 24,333 kr | 97,33 kr |
| 240 - 996 | 23,913 kr | 95,65 kr |
| 1000 + | 23,465 kr | 93,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9946
- Tillv. art.nr:
- SIR5112DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | SiR | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0149Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 56.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie SiR | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0149Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal effektförlust Pd 56.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
Helt blyfri (Pb)-enhet
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 47.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 334 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 440 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 66.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 60.6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR