Vishay N Kanal, MOSFET, 334 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-artikelnummer:
- 279-9969
- Tillv. art.nr:
- SIRS4600DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
56,22 kr
(exkl. moms)
70,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 56,22 kr |
| 50 - 99 | 41,89 kr |
| 100 - 249 | 37,41 kr |
| 250 - 999 | 36,85 kr |
| 1000 + | 35,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9969
- Tillv. art.nr:
- SIRS4600DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 334A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00115Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 334A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00115Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
Minskar omkopplingsrelaterade effektförluster
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 334 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 359 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 47.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 440 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 66.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR