Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- RS-artikelnummer:
- 279-9922
- Tillv. art.nr:
- SIHP054N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
94,98 kr
(exkl. moms)
118,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 993 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 94,98 kr |
| 10 - 24 | 93,18 kr |
| 25 - 99 | 91,28 kr |
| 100 + | 89,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9922
- Tillv. art.nr:
- SIHP054N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 47A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.058Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 312W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 47A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.058Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 312W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIHP-serien MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 47 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHP054N65E-GE3
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanalförstärkning som är utformad för strömomkoppling i krävande elektriska system. Den levereras i en TO-220AB-förpackning med genomgående hål och är avsedd för användning där betydande dräneringsström och hög spänningstolerans krävs. Komponenten är RoHS-kompatibel och fungerar i ett brett omgivningstemperaturområde som är lämpligt för industriella miljöer.
Funktioner och fördelar:
• 650 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 47 A stöder drift med hög belastning
• 312 W effektförlust möjliggör kontinuerlig hantering av hög effekt
• 0.058 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 108 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik
• Gate-source-motstånd på 30 V skyddar drivmarginalen
• Kontinuerlig dräneringsström på 47 A stöder drift med hög belastning
• 312 W effektförlust möjliggör kontinuerlig hantering av hög effekt
• 0.058 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 108 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik
• Gate-source-motstånd på 30 V skyddar drivmarginalen
Användningsområden
• Lämpligt för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används för växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för UPS- och batteribackup-effekt-elektronik
• Lämplig för utbyteskretsar för högströmsreläer
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används för växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för UPS- och batteribackup-effekt-elektronik
• Lämplig för utbyteskretsar för högströmsreläer
Vilka extrema temperaturer tål den under drift?
Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i ett brett spektrum av termiska förhållanden.
Hur är enheten monterad för termisk och mekanisk stabilitet?
Komponenten är konfigurerad för genomgående hålmontering i TO-220AB-format för att underlätta kylflänsning och säker kretskortsmontering.
Vad är det förväntade omkopplingsbeteendet med avseende på gate-drivning?
Med en typisk grindladdning på 108 nC och en maximal Vgs på 30 V kan omkopplingshastighet och nödvändig drivenergi beräknas för att matcha drivkapacitet.
Hur påverkar motståndet på effektiviteten i konstruktioner med hög ström?
Det maximala drain‐source-motståndet på 0,058 Ω sänker I2R-förlusterna, vilket förbättrar effektiviteten vid drift nära den angivna gränsen för kontinuerlig ström på 47 A.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 21 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SF Series
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF